特許

J-GLOBAL ID：200903036578118420

堆積膜形成方法および堆積膜形成装置

発明者： 岡部 正太郎 ,  金井 正博 ,  藤岡 靖 ,  酒井 明 ,  芳里 直 ,  越前 裕 ,  杉山 秀一郎
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-347738
公開番号（公開出願番号）：特開平6-192839
出願日： 1992年12月28日
公開日（公表日）： 1994年07月12日
要約：

【要約】【目的】大面積の基板上に、高品質の堆積膜を連続かつ特性のばらつきなく形成できるようにする。【構成】?@各マイクロ波アプリケータ109から導入されるマイクロ波によって生ずるプラズマに接するように複数のバイアス電極111を配置し、バイアス電流が一定になるように、マイクロ波電力を制御する。?Aバイアス電極の端部の誘電体窓に対向する部分に円盤を設ける。?B成膜容器端部にバイアス電極を設ける。成膜容器内に付着する堆積物の影響を受けることなくバイアス電流が基板のみに流れ込むようにする。あるいは?C成膜空間を壁によって複数の成膜空間に分割する、の少なくとも1つのことを実施する。

請求項（抜粋）：

複数のマイクロ波導入手段を備え真空排気可能な成膜容器を使用し、マイクロ波プラズマCVD法により大面積の基板上に堆積膜を形成する堆積膜形成方法において、前記各マイクロ波導入手段から前記成膜容器内に放射伝播されるマイクロ波エネルギーによって生起するプラズマの内部に、または前記プラズマに接するように、複数の電極を配置し、前記電極の各々にバイアス電圧を印加し、前記電極を流れるバイアス電流の値が一定値を維持するように、前記マイクロ波導入手段から前記成膜容器内に放射伝播されるマイクロ波エネルギーの強度を制御することを特徴とする堆積膜形成方法。

IPC (3件)：

C23C 16/50 ,  C23C 16/54 ,  H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-144992
  
• 特開昭63-293167
  
• 特開昭59-183827