特許

J-GLOBAL ID：200903036579343672

配線層の形成方法

発明者： 月岡 英了
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-152036
公開番号（公開出願番号）：特開平9-330928
出願日： 1996年06月13日
公開日（公表日）： 1997年12月22日
要約：

【要約】【課題】 近年の半導体素子の微細化に伴って、配線層間の絶縁性の悪化や、ストレスマイグレーション、エレクトロンマイグレーション耐性の悪化等、配線層の信頼性が低下する懸念が生じており、これらを解決するためには既存の製造装置に加え、新たな装置の導入や工程数の増加が必要となり製造コストの上昇が避けられない。【解決手段】 半導体基板11上に形成された層間絶縁膜12に配線層用溝を形成する際に、はじめに異方性エッチングにより、これに引き続き等方性エッチングを行うことにより、配線層用溝21の底部に丸みをつけ、さらにこの配線層用溝21にCVD法により絶縁膜32を形成し、配線層用溝31の開口部付近にも丸みをつける。

請求項（抜粋）：

半導体基板上の第一絶縁膜表面上に開口を有するマスクを形成する工程と、前記マスクを用い、異方性エッチングにより前記第一絶縁膜をエッチングし、配線層用溝を形成する工程と、その後、等方性エッチングにより前記配線層用溝表面をエッチングし、前記配線層用溝を曲面化する工程と、前記マスクを除去する工程と、気相成長法により前記第一絶縁膜表面に第二絶縁膜を形成する工程と、前記第二絶縁膜表面上に導電膜を形成する工程と、前記導電膜を前記配線層用溝の内部にのみ残留させる工程とを有することを特徴とする配線層の形成方法。