レジスト材料及びパターン形成方法

発明者： , , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：小島隆司 , 重松沙織 , 小林克成
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-168885
公開番号（公開出願番号）：特開2004-062175
出願日： 2003年06月13日
公開日（公表日）： 2004年02月26日
要約：

【解決手段】下記一般式(1a)で示されるエステル化合物を構成単位として含有する重量平均分子量1,000〜500,000の高分子化合物。【化1】(R1は水素原子、メチル基又はCH2CO2R14。R2は水素原子、メチル基又はCO2R14。R3はC1〜8のアルキル基又はC6〜20の置換されていてもよいアリール基。R4〜R13は水素原子又はC1〜15のヘテロ原子を含んでもよい1価の炭化水素基を示し、互いに環を形成していてもよい。R4〜R13は結合し、二重結合を形成してもよい。R14はC1〜15のアルキル基。また、鏡像体も表す。)【効果】本発明の高分子化合物をベース樹脂としたレジスト材料は、電子線や遠紫外線による微細加工に有用であり、微細でしかも基板に対して垂直なパターンを容易に形成できる。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

下記一般式(1a)で示されるエキソ体のエステル化合物を構成単位として含有する重量平均分子量1,000〜500,000の高分子化合物を含むことを特徴とするレジスト材料。

IPC (6件)：

G03F7/039 , C08F212/04 , C08F220/18 , C08F222/06 , C08F232/08 , H01L21/027

FI (6件)：

G03F7/039 601 , C08F212/04 , C08F220/18 , C08F222/06 , C08F232/08 , H01L21/30 502R

Fターム (51件)：

2H025AA02 , 2H025AA03 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC06 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB08 , 2H025CB14 , 2H025CB16 , 2H025CB17 , 2H025CB41 , 2H025CB45 , 2H025CB55 , 2H025CB56 , 2H025CC20 , 2H025FA17 , 4J100AB02Q , 4J100AB07Q , 4J100AJ02Q , 4J100AK32Q , 4J100AL03Q , 4J100AL08P , 4J100AL08Q , 4J100AL09Q , 4J100AL31P , 4J100AR11Q , 4J100BA02P , 4J100BA03Q , 4J100BA11Q , 4J100BA15Q , 4J100BA16Q , 4J100BA22Q , 4J100BC04Q , 4J100BC08P , 4J100BC08Q , 4J100BC09Q , 4J100BC12P , 4J100BC27P , 4J100BC43P , 4J100BC49P , 4J100BC53Q , 4J100BC59Q , 4J100CA04 , 4J100CA05 , 4J100CA06 , 4J100DA01 , 4J100JA38

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