特許

J-GLOBAL ID：200903036593346854

多層配線形成工程における層間絶縁膜のスルーホール形成方法

発明者： 片山 悟志
出願人/特許権者： 川崎製鉄株式会社
代理人 (1件)： 小林 英一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-202410
公開番号（公開出願番号）：特開平6-053324
出願日： 1992年07月29日
公開日（公表日）： 1994年02月25日
要約：

【要約】【目的】 多層配線形成工程において層間絶縁膜の開孔時にデポ物の発生しないスルーホールの形成方法を提供する。【構成】 Si基板1の表面にSiO2膜2を形成し、このSiO2膜2にスルーホール3を形成する工程と、Al系の金属配線とその上層にTiもしくはTi含有膜からなる反射防止膜からなる積層配線10を形成する工程と、積層配線10上に層間絶縁膜5を設けて、レジストパターンを形成し、層間絶縁膜5をH2もしくは水素化合物を1種以上含むガス系を用いてドライエッチングでスルーホール6を形成する工程と、Al系の金属配線7を施して多層配線を形成した後、パッシベーションとしての絶縁膜8を被着する工程と、からなるように構成することにより、デポ物の発生しないスルーホールを形成することができる。

請求項（抜粋）：

Si基板の表面にSiO2膜を形成し、このSiO2膜にスルーホールを形成する工程と、Al系の金属配線とその上層にTiもしくはTi含有膜からなる反射防止膜からなる積層配線を形成する工程と、この積層配線上に層間絶縁膜を設けて、レジストパターンを形成し、該層間絶縁膜をH2もしくは水素化合物を1種以上含むガス系を用いてドライエッチングでスルーホールを形成する工程と、Al系の金属配線を施して多層配線を形成した後、パッシベーションとしての絶縁膜を被着する工程と、からなることを特徴とする多層配線形成工程における層間絶縁膜のスルーホール形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/90 ,  H01L 21/302 ,  H01L 21/3205