特許

J-GLOBAL ID：200903036594621379

熱電プログラマブル装置のアンチヒューズ

発明者： ハンス エム ベー ブーヴェ ,  カレン アッテンバーロウ ,  ホデフリダス アー エム フルック ,  プラブハット アガルヴァル ,  ヘンドリク ヘー アー フイツィンヒ ,  ミハエル アー アー インザント ,  ヤン ウェー スロトボーム
出願人/特許権者： エヌエックスピー ビー ヴィ
代理人 (2件)： 杉村 憲司 ,  澤田 達也
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-542479
公開番号（公開出願番号）：特表2008-522400
出願日： 2005年11月24日
公開日（公表日）： 2008年06月26日
要約：

熱プログラマブルメモリは、熱プログラマブル抵抗材料、好適には、相変化材料のプログラマブル素子(20)と、プログラマブル材料に隣接するように配置された破壊可能な又は破壊されたアンチヒューズ(80)とを有する。そのような破壊されたアンチヒューズは、製造中に誘電体に小さな孔を形成するよう高電圧を短時間誘電体の両端間に印加できるようにするために導電層(90,110)に包囲された誘電層(100)から有して、材料をプログラミングする際のきわめて小さいヒータとして用いることができる小さい導通経路を形成することができる。孔による電流の制限のために、高抵抗状態に切り替えるために加熱する必要がある材料の量が非常に少なくなる。その結果、プログラム電力を低くすることができる。

請求項（抜粋）：

熱プログラマブル材料のプログラマブル素子(20)と、前記プログラマブル材料に隣接して配置された破壊されたアンチヒューズ又は破壊可能なアンチヒューズ(80)とを有する熱プログラマブル装置。

IPC (4件)：

H01L 27/105 ,  H01L 45/00 ,  H01L 27/10 ,  H01L 21/82

FI (4件)：

H01L27/10 448 ,  H01L45/00 A ,  H01L27/10 431 ,  H01L21/82 F

Fターム (19件)：

5F064BB13 ,  5F064BB15 ,  5F064CC06 ,  5F064CC12 ,  5F064FF22 ,  5F064FF27 ,  5F064FF28 ,  5F064FF29 ,  5F064FF41 ,  5F064FF45 ,  5F064HH09 ,  5F083CR14 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083GA06 ,  5F083GA09 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083ZA20