特許

J-GLOBAL ID：200903036596775845

ハイブリッド型薄膜光電変換装置の製造方法

発明者： 吉見 雅士 ,  多和田 裕子
出願人/特許権者： 鐘淵化学工業株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-360690
公開番号（公開出願番号）：特開2001-177133
出願日： 1999年12月20日
公開日（公表日）： 2001年06月29日
要約：

【要約】【課題】 ハイブリッド型シリコン系薄膜光電変換装置の特性を改善し得る製造方法を提供する。【解決手段】 透明絶縁基板1上に順に積層される透明電極2、非晶質光電変換ユニット11、結晶質光電変換ユニット12、および裏面電極13を含み、非晶質光電変換ユニット11はプラズマCVDで順に堆積されるp型非晶質層111、i型非晶質光電変換層112A、i型遷移層112B、およびn型微結晶層113を含むハイブリッド型薄膜光電変換装置の製造方法においては、非晶質光電変換層112Aを堆積する間にシラン系原料ガスに対する水素希釈ガスのガス混合比が5倍以下であり、遷移層112Bを堆積する間のそのガス混合比は最低でも5倍より大きくて少なくともその遷移層の堆積の終了時において50倍以上であり、遷移層は5〜30nmの範囲内の厚さに堆積される。

請求項（抜粋）：

透明絶縁基板上に順次積層された透明電極、非晶質光電変換ユニット、結晶質光電変換ユニット、および裏面電極を含むハイブリッド型薄膜光電変換装置の製造方法であって、前記非晶質光電変換ユニットを形成するために、プラズマCVD法によって非晶質p型層、非晶質i型光電変換層、i型遷移層、および微結晶n型層を順次堆積し、前記非晶質光電変換層の堆積の間はシラン系原料ガスに対する水素希釈ガスのガス混合比が5倍以下にされ、前記遷移層を堆積する間の前記ガス混合比は最低限でも5倍より大きくて、少なくともその遷移層の堆積の実質的な終了時においては50倍以上にされ、前記遷移層は5〜30nmの範囲内の厚さに堆積されることを特徴とする製造方法。

FI (2件)：

H01L 31/04 B ,  H01L 31/04 A

Fターム (8件)：

5F051AA03 ,  5F051AA04 ,  5F051AA05 ,  5F051CA07 ,  5F051CA08 ,  5F051CA15 ,  5F051DA04 ,  5F051DA16