半導体搭載用多層基板

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：須山佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-123843
公開番号（公開出願番号）：特開平6-334065
出願日： 1993年05月26日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：

【要約】【目的】信号配線と電源層や接地層との間の電気的容量の減少を図った半導体搭載用多層基板を提供する。【構成】半導体搭載用の例えばセラミックス多層基板11は、内部信号配線層17、電源層16、接地層19等が形成された複数の絶縁性セラミックス層14a〜14eを有している。めっき引き出し線を含む内部信号配線層17は、 2層以上の絶縁性セラミックス層上で引き回されている。

請求項（抜粋）：

信号配線層、電源層、接地層等が形成された複数の絶縁層を有する半導体搭載用多層基板において、前記信号配線層の少なくとも一部は、 2層以上の絶縁層上で引き回されていることを特徴とする半導体搭載用多層基板。

FI (3件)：

H01L 23/12 N , H01L 23/12 E , H01L 23/12 Q

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