特許

J-GLOBAL ID：200903036613829890

固体撮像素子及びその製造方法

発明者： 小松 英治
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 野田 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-021172
公開番号（公開出願番号）：特開2002-231924
出願日： 2001年01月30日
公開日（公表日）： 2002年08月16日
要約：

【要約】【課題】 隣接するフォトセンサ部の間の信号電荷の移動を制限し、混色やスミア等を防止する。【解決手段】 半導体基板110の中層に各フォトセンサ部120の下層領域を包囲する環状の層内絶縁膜100を設けることにより、オーバーフローバリア180の位置を各フォトセンサ部120の下層領域では深く、その周囲の領域では浅く形成した。このオーバーフローバリア180の浅くなった領域が横方向バリア180Bとして機能し、例えばフォトセンサ部120に斜めに入射した光は、横方向バリア180Bを下層方向に超えた位置で光電変換されることになり、半導体基板110のさらに下層に掃き出される。これにより、隣接画素への電荷の移動を防止する。また、各フォトセンサ部120の下層領域では、深いオーバーフローバリア180で十分な感度を得る。

請求項（抜粋）：

半導体基板の上層部にそれぞれ撮像画素を構成する複数のフォトセンサ部と、各フォトセンサ部に蓄積した信号電荷を転送する転送レジスタ部とを設け、前記半導体基板の深層部に各フォトセンサ部の信号電荷を保持するためのオーバーフローバリアを設けた固体撮像素子において、前記半導体基板中の隣接するフォトセンサ部の境界領域に前記オーバーフローバリアが形成される深さ位置を制御するバリア形成位置制御膜を設け、前記バリア形成位置制御膜によってフォトセンサ部の境界領域におけるオーバーフローバリアの深さ位置を制御することにより、前記フォトセンサ部の下層領域におけるオーバーフローバリアより浅い位置に、前記隣接するフォトセンサ部の間の信号電荷の移動を防止する横方向バリアを設けた、ことを特徴とする固体撮像素子。

IPC (3件)：

H01L 27/148 ,  H04N 1/028 ,  H04N 5/335

FI (4件)：

H04N 1/028 Z ,  H04N 5/335 U ,  H04N 5/335 F ,  H01L 27/14 B

Fターム (19件)：

4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA13 ,  4M118EA20 ,  4M118FA06 ,  4M118FA13 ,  4M118FA28 ,  5C024CX00 ,  5C024CX13 ,  5C024CY47 ,  5C024GX02 ,  5C051AA01 ,  5C051BA02 ,  5C051DA03 ,  5C051DB01 ,  5C051DB04 ,  5C051DB05 ,  5C051DB18 ,  5C051DC02