特許

J-GLOBAL ID：200903036614938919

半導体装置

発明者： 大西 泰彦
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-039161
公開番号（公開出願番号）：特開平9-232332
出願日： 1996年02月27日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：

【要約】【課題】IGBTのスイッチング損失の増大なしにオン電圧の低減を低コストにて図る。【解決手段】n- ドレイン領域4の表面層内部にp+ ベース領域5とp- 領域7とが形成され、これらの領域の表面層にn+ ソース領域6が形成され、p-領域7の表面にゲート絶縁膜8を介してゲート電極9が形成され、層間絶縁膜12を介してp+ ベース領域5とn+ ソース領域6と接するソース電極11が形成される。プロトン照射をソース電極11および層間絶縁膜12を形成した後、表面層全域に行う。この場合の照射量は1×1012cm-2以上で照射深さは1〜10μmとする。照射後350°C以上で熱処理し、プロトンを照射して形成された格子欠陥をシャロウドナー化することで、n- ドレイン領域の表面層に低抵抗層12を形成する。

請求項（抜粋）：

第一導電形の第一領域の表面層内部に選択的に形成された第二導電形の第二領域および該第二領域の表面層に選択的に形成された第一導電形の第三領域を有し、第三領域と第一領域に挟まれた第二領域表面に絶縁膜を介してゲート電極が形成された半導体装置において、少なくとも第二領域に挟まれた第一領域の表面層内に、軽イオンが所定量照射された後、所定の温度で熱処理され、第一領域の抵抗より低い抵抗層が第一領域の表面層内に形成されることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/336 ,  H01L 21/322 ,  H01L 29/78

FI (4件)：

H01L 29/78 658 H ,  H01L 21/322 K ,  H01L 29/78 652 J ,  H01L 29/78 655 A