特許
J-GLOBAL ID：200903036615007234
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-258415
公開番号（公開出願番号）：特開平6-216067
出願日： 1993年10月15日
公開日（公表日）： 1994年08月05日
要約：
【要約】【目的】 少なくともTi層とその上のTiN層とを有する金属化層を良好に半導体材料片上に堆積するとともに、TiN層上に含まれる自由なTiをできるだけ少なくする。【構成】 半導体材料片20上に最初にTi層8を、次にTiN層9を堆積するに当り、半導体材料片を堆積室22内で、環状陽極31により囲まれたTiのターゲット32に対向している支持体30上に順次に配置し、Ti層の堆積中はArガス中で、TiN層の堆積中はAr及びN2 の混合ガス中でターゲットの付近に発生させたプラズマ35によりこのターゲットから材料をスパッタリングし、TiN層の堆積後で次の半導体材料片を堆積室内に配置する前にその都度行なう追加の処理工程で、Arガス中で発生させたプラズマによりターゲットから材料をスパッタリングしてターゲットを清浄にし、この追加の処理工程は、ターゲットが清浄なTi表面を再び得る瞬時に終了させる。
請求項（抜粋）：
半導体材料片上に最初にTi層を堆積し、次にTiN層を堆積することにより半導体装置を製造する方法であって、堆積室内で環状陽極により囲まれたTiのターゲットに対向して配置された支持体上に半導体材料片を順次に配置し、次に、Ti層の堆積中はArガス中で、TiN層の堆積中はAr及びN2 の混合ガス中でターゲットの付近に発生されたプラズマによりターゲットから材料をスパッタリングさせ、その後、次の半導体材料片を堆積室内に配置する前にその都度追加の処理工程で、Arガス中で発生させたプラズマによりターゲットから材料をスパッタリングさせることによりターゲットを清浄にすることにより半導体装置を製造する方法において、ターゲットのTi表面が再び清浄となると直ちに前記の追加の処理工程を終了させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/285 301
, C23C 14/34
, H01L 21/203
