特許

J-GLOBAL ID：200903036616788809

プリチャージ回路を備えたチャージポンプ回路

発明者： 江守 孝之
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-293725
公開番号（公開出願番号）：特開2000-123587
出願日： 1998年10月15日
公開日（公表日）： 2000年04月28日
要約：

【要約】【課題】昇圧に要する時間を一層短縮化することを可能とするプリチャージ回路を備えたチャージポンプ回路を提供する。【解決手段】チャージポンプ回路に備えられたプリチャージ回路は、ゲート電極13及びドレイン領域14が電源に接続され、ソース領域15が、チャージポンプ回路を構成する第1の電界効果型トランジスタTiの接続部に接続された、nチャネルMOS型の第2の電界効果型トランジスタPTiから構成され、第2の電界効果型トランジスタPTiのドレイン領域14、ソース領域15及びチャネル形成領域16はp型半導体領域12に形成され、このp型半導体領域12は電源Vccに接続されている。

請求項（抜粋）：

プリチャージ回路を備えたチャージポンプ回路であって、チャージポンプ回路は、(1-1)直列接続された複数のMOS型の第1の電界効果型トランジスタと、(1-2)第1の電界効果型トランジスタの接続部に一端が接続され、他端にクロック信号が入力されるコンデンサー、から構成され、第1の電界効果型トランジスタのゲート電極とドレイン領域とは相互に接続され、第1の電界効果型トランジスタのソース領域は、隣接する第1の電界効果型トランジスタのドレイン領域に接続されており、プリチャージ回路は、(2)ゲート電極及びドレイン領域が電源に接続され、ソース領域が第1の電界効果型トランジスタの接続部に接続された、nチャネルMOS型の第2の電界効果型トランジスタ、から構成され、それぞれの第2の電界効果型トランジスタのドレイン領域、ソース領域及びチャネル形成領域は、p型半導体領域に形成され、該p型半導体領域は前記電源に接続されていることを特徴とする、プリチャージ回路を備えたチャージポンプ回路。

IPC (3件)：

G11C 16/06 ,  H01L 27/115 ,  H01L 27/10 481

FI (3件)：

G11C 17/00 632 A ,  H01L 27/10 481 ,  H01L 27/10 434

Fターム (8件)：

5B025AA00 ,  5B025AB00 ,  5B025AC00 ,  5B025AD11 ,  5B025AE05 ,  5F083EP00 ,  5F083HA05 ,  5F083LA09