特許

J-GLOBAL ID：200903036620489646

ショットキーダイオード、pn接合ダイオード、pin接合ダイオード、および製造方法

発明者： 三柳 洋一 ,  中山 浩二 ,  塩見 弘 ,  木本 恒暢 ,  松波 弘之
出願人/特許権者： 株式会社シクスオン ,  関西電力株式会社 ,  住友電気工業株式会社 ,  三菱商事株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-060364
公開番号（公開出願番号）：特開2002-261295
出願日： 2001年03月05日
公開日（公表日）： 2002年09月13日
要約：

【要約】【課題】 リーク電流の増加を招くことがなく、安定した動作を確実に実現することを可能にするとともに、大面積化においても歩留まりが高い、炭化珪素を用いた高耐圧ダイオードを提供すること。【解決手段】 本発明は、4H型のSiC半導体13にショットキー電極15が接合されてなるショットキーダイオード10において、ショットキー電極15と接するSiC半導体13の面方位が、{03-38}面、またはこの面から10°以内のオフ角を有する面であることを特徴としている。

請求項（抜粋）：

4H型のSiC半導体にショットキー電極が接合されてなるショットキーダイオードにおいて、前記ショットキー電極と接する前記SiC半導体の面方位が、{03-38}面、またはこの面から10°以内のオフ角を有する面であることを特徴とするショットキーダイオード。

IPC (3件)：

H01L 29/861 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/872

FI (5件)：

H01L 21/205 ,  H01L 29/91 F ,  H01L 29/48 D ,  H01L 29/48 F ,  H01L 29/91 D

Fターム (21件)：

4M104AA03 ,  4M104BB05 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD26 ,  4M104DD34 ,  4M104DD79 ,  4M104FF13 ,  4M104FF35 ,  4M104GG02 ,  4M104GG03 ,  4M104HH20 ,  5F045AB06 ,  5F045AC01 ,  5F045AF02 ,  5F045AF13 ,  5F045BB12 ,  5F045BB16 ,  5F045DA53 ,  5F045DA61