特許
J-GLOBAL ID：200903036622551454

垂直磁気記録媒体の製造方法、垂直磁気記録媒体及び垂直磁気記録再生装置

発明者：
大森 将弘

大森 将弘 について


出願人/特許権者：
昭和電工株式会社

昭和電工株式会社 について


代理人 (4件)： 清水 久義 ,  高田 健市 ,  黒瀬 靖久 ,  清水 義仁
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-313514
公開番号（公開出願番号）：特開2006-127624
出願日： 2004年10月28日
公開日（公表日）： 2006年05月18日
要約：
【課題】 軟磁性裏打ち膜を無電解メッキ法により形成する際に、軟磁性裏打ち膜に磁壁が発生するのを防止できる垂直磁気記録媒体の製造方法を提供すること。【解決手段】 垂直磁気記録媒体の製造方法は、基板1上にコバルト、ニッケル及び鉄を組成元素として含む軟磁性裏打ち膜2を無電解メッキ法により形成する工程を備える。無電解メッキ法に用いられるメッキ液は、軟磁性裏打ち膜2の組成元素のイオンとしてコバルトイオン、ニッケルイオン及び鉄イオンを含み、更に、鉄イオンのモル濃度をコバルトイオンとニッケルイオンの合計モル濃度で割った値が0.5〜10の範囲に設定されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上にコバルト、ニッケル及び鉄を組成元素として含む軟磁性裏打ち膜を無電解メッキ法により形成する工程を備えた垂直磁気記録媒体の製造方法において、 前記無電解メッキ法に用いられるメッキ液は、前記軟磁性裏打ち膜の組成元素のイオンとしてコバルトイオン、ニッケルイオン及び鉄イオンを含み、更に、鉄イオンのモル濃度をコバルトイオンとニッケルイオンの合計モル濃度で割った値が0.5〜10の範囲に設定されていることを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。
IPC (7件)：
G11B 5/858 ,  C23C 18/31 ,  C23C 18/34 ,  C23C 18/36 ,  G11B 5/65 ,  G11B 5/738 ,  G11B 5/84
FI (7件)：
G11B5/858 ,  C23C18/31 A ,  C23C18/34 ,  C23C18/36 ,  G11B5/65 ,  G11B5/738 ,  G11B5/84 Z
Fターム (18件)：
4K022AA02 ,  4K022AA03 ,  4K022AA05 ,  4K022AA44 ,  4K022BA06 ,  4K022BA09 ,  4K022BA14 ,  4K022BA32 ,  4K022DA01 ,  4K022DB02 ,  4K022DB03 ,  5D006BB07 ,  5D006BB08 ,  5D006CA03 ,  5D112AA04 ,  5D112BD03 ,  5D112EE01 ,  5D112EE07
引用特許：
出願人引用 (3件)

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