特許

J-GLOBAL ID：200903036626129730

イリジウム/パラジウム酸化物メッキ層を有するチタニウム電極の製法

発明者： 林 光 隆 ,  李 汝 桐 ,  李 淵 博
出願人/特許権者： ナシヨナル・サイエンス・カウンシル
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-176030
公開番号（公開出願番号）：特開平8-020882
出願日： 1994年07月05日
公開日（公表日）： 1996年01月23日
要約：

【要約】【構成】 本発明はイリジウム/パラジウム酸化物メッキ層を有するチタニウム電極製法に関し、a)チタニウム金属基材を用意し、b)イリジウム/パラジウム酸化物を採択して、c)このイリジウム/パラジウム酸化物を材料として、前記チタニウム金属基材に付着させ、d)適度の熱処理を行ってイリジウム/パラジウム酸化物メッキ層を被覆したチタニウム電極を得るようにした、工程を含む。【効果】 本発明の適度の前処理、活性化、循環電圧析離および適度の熱処理後、優れた付着性と、酸性溶液中において極めて良好な電気化学安定性および優れた電気化学触媒作用とを具備したメッキ層を有する電極が得られる。

請求項（抜粋）：

a)チタニウム金属基材を用意し、b)イリジウム/パラジウム酸化物を採択して、c)このイリジウム/パラジウム酸化物を材料として、前記チタニウム金属基材に付着させ、d)適度の熱処理を行ってイリジウム/パラジウム酸化物メッキ層を有するチタニウム電極を得るようにした、イリジウム/パラジウム酸化物メッキ層を有するチタニウム電極の製法。

IPC (3件)：

C25B 11/10 ,  C25D 17/12 ,  H01M 4/04

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特公平6-031455
  
• 特開昭56-146887
  
• 特開平2-145788
  
• 特公平3-006232