特許
J-GLOBAL ID:200903036629131434

バンプの形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-040806
公開番号(公開出願番号):特開平5-243233
出願日: 1992年02月27日
公開日(公表日): 1993年09月21日
要約:
【要約】【目的】 銅等の価格は安いが不安定な金属で形成した断面方形なバンプ電極を包み込むように金等の安定な金属をメッキすることにより価格が安く、安定したバンプ電極を得る。【構成】 被除去性能の異なる2種類以上のレジスト等の絶縁被膜12,11を重ねて形成し、開口部をつくりその開口部内に銅等の金属でバンプ5を形成する。その後上層のレジスト11のみを除去した後に金等でメッキ6を行う。その後、下層のレジスト12を除去する。【効果】 バンプ電極本体を不安定だが価格の安い金属で形成でき、かつその表面を薄く安定だが価格の高い金属で覆うことができるので、価格が安く、表面の安定したバンプ電極を形成できる。
請求項(抜粋):
被除去性能の異なる2種類以上の絶縁被膜の積層の所定部分の開口部内に第1の金属のバンプをメッキ形成し、その後上層の絶縁被膜を取り除いてから第1の金属と異なる金属をメッキすることを特徴とする断面方形なバンプの形成方法。
IPC (2件):
H01L 21/321 ,  H01L 21/288
FI (2件):
H01L 21/92 F ,  H01L 21/92 D

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