半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-307589
公開番号（公開出願番号）：特開平8-335678
出願日： 1995年11月27日
公開日（公表日）： 1996年12月17日
要約：

【要約】【課題】容易に実施でき、従来方法の欠点を回避することが可能な深いトレンチ構造の相互間に浅いトレンチを形成する半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】構造体100 内に形成された第1、第2の深いトレンチ構造142 、152 上の真性ポリシリコン149 、159 の上層と窒化物層130 を平坦化する。平坦化した構造体100 上にチタン層320 を形成し、真性ポリシリコン149 、159 と反応させて、第1、第2の深いトレンチ構造142 、152 上にチタンシリサイドのキャップ340 、350 を形成する。構造体100 上に開口部365 を有するマスキング層360 を形成し、これとキャップ340 、350 とをマスクとして、窒化物層及びシリコン基板を選択的にエッチングする。したがって、第1、第2のトレンチ構造142、152 相互間に浅いトレンチ370 が形成される。

請求項（抜粋）：

半導体基板の内部に第1、第2の深いトレンチ構造を有する構造体を形成する工程と、前記構造体の外部表面を平坦化する工程と、前記第1、第2の深いトレンチ構造上にシリサイドからなる第1、第2のキャップを形成する工程と、前記第1、第2のキャップ間の材料を選択的にエッチングし、前記第1、第2の深いトレンチ構造相互間に浅いトレンチを形成する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 27/10 625 A , H01L 27/04 C

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