特許
J-GLOBAL ID：200903036631034594
半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-199367
公開番号（公開出願番号）：特開2005-039014
出願日： 2003年07月18日
公開日（公表日）： 2005年02月10日
要約：
【課題】バンプ電極と実装基板との電気接続を信頼性あるものにすることができる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】配線31a、31b(ボンディングパッド)および酸化シリコン膜26上にパッシベーション膜となる酸化シリコン膜32を形成する。続いて、酸化シリコン膜32に第1開口部33を形成した後、ポリイミド樹脂膜34を塗布する。そして、このポリイミド樹脂膜34をパターニングすることにより、第1開口部33上に第2開口部35を形成する。次に、UBM膜36を形成後、ペースト状の金膜37を第1開口部33、第2開口部35へ埋め込む。続いて、CMP法による研磨により、ポリイミド樹脂膜34上の不要なUBM膜36および金膜37を除去する。このようにして、周囲をポリイミド樹脂膜34で囲まれたバンプ電極38a、38bを形成する。【選択図】 図9
請求項（抜粋）：
バンプ電極により半導体チップを実装基板に実装する半導体装置であって、
前記バンプ電極は、周囲を絶縁膜で囲まれていることを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
FI (6件)：
H01L21/92 603C
, H01L21/60 311S
, H01L21/92 602K
, H01L21/92 604S
, H01L21/92 604Z
, H01L21/92 602G
5F044LL09
, 5F044QQ02
, 5F044QQ03
, 5F044QQ06
