特許
J-GLOBAL ID：200903036632847360
薄膜形成装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤田 龍太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-240561
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055194
出願日： 1991年08月26日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：
【要約】【目的】 低温での結晶成長を可能にする。【構成】 真空チャンバー1に、導入された原料ガスの高励起プラズマ11を生成し該プラズマ11により前記原料ガスを分解,励起して基材6表面に薄膜を形成する成膜室2と、導入されたイオン種用のガスをプラズマ化してイオンビーム9を形成し該ビーム9を高励起プラズマ11,基材6に照射するイオン源室3とを備える。
請求項（抜粋）：
真空チャンバーに、導入された原料ガスの高励起プラズマを生成し該プラズマにより前記原料ガスを分解,励起して基材表面に薄膜を形成する成膜室と、導入されたイオン種用のガスをプラズマ化してイオンビームを形成し該ビームを前記高励起プラズマ,前記基材に照射するイオン源室とを備えたことを特徴とする薄膜形成装置。
IPC (6件)：
H01L 21/31
, C23C 16/50
, C30B 25/02
, H01L 21/205
, H01L 21/285
, H05H 1/00
