特許
J-GLOBAL ID：200903036632952040
モータ駆動装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松本 英俊
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-007225
公開番号（公開出願番号）：特開2004-222420
出願日： 2003年01月15日
公開日（公表日）： 2004年08月05日
要約：
【課題】MOSFETをスイッチ素子としたインバータ回路によりモータの励磁相を切り換えるモータ駆動装置において、モータの制動時にMOSFETのゲート回路で生じる損失の低減を図ること。【解決手段】インバータ回路2によりモータ1の励磁相を切り換えてモータを回転させるモータ駆動装置において、インバータ回路2のブリッジの下段を構成するMOSFETQx〜Qzを同時にオン状態にし、上段のMOSFETQu〜Qwをすべてオフ状態にしてモータに制動をかける際に、下段のMOSFETにゲート駆動電圧を与える回路の電源電圧を、定常運転時の電圧V1よりも低い電圧V2に切り換えるゲート駆動電圧切替回路4を設けた。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
直流電源とモータの多相の電機子コイルとの間に設けられたブリッジ形インバータ回路と、前記モータを所定の方向に回転させるべく前記インバータ回路を制御するモータ制御部とを備え、前記インバータ回路のブリッジの上段の各辺及び下段の各辺はそれぞれMOSFETにより構成されていて、各MOSFETのゲート・ソース間にバイアス抵抗を通してゲート駆動電圧を与えるゲート駆動回路が各MOSFET毎に設けられ、前記モータ制御部は、前記モータの定常運転時に前記モータを所定の方向に回転させるように前記モータの励磁相を切り換えるべく前記インバータ回路のブリッジの上段を構成するMOSFET及び下段を構成するMOSFETをそれぞれ所定の順序でオンオフさせ、前記モータに制動をかける際には、前記インバータ回路のブリッジの上段のすべてのMOSFETをオフ状態にして下段のすべてのMOSFETを同時にオン状態にするように構成されているモータ駆動装置において、
前記モータに制動をかける際に前記インバータ回路の下段のMOSFETに与えるゲート駆動電圧を、前記モータの定常運転時に前記インバータ回路の下段のMOSFETに与えるゲート駆動電圧よりも小さい値に切り替えるゲート駆動電圧切替回路が設けられていることを特徴とするモータ駆動装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (15件)：
5H560BB04
, 5H560BB07
, 5H560EB01
, 5H560HB01
, 5H560RR10
, 5H560SS01
, 5H560TT18
, 5H560UA05
, 5H740BA12
, 5H740BB05
, 5H740BC01
, 5H740BC02
, 5H740HH05
, 5H740JA01
, 5H740KK01
