特許

J-GLOBAL ID：200903036634144145

半導体製造装置および基板処理方法

発明者： 坂本 一郎 ,  中村 直人
出願人/特許権者： 国際電気株式会社
代理人 (1件)： 宮本 治彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-092040
公開番号（公開出願番号）：特開平8-321474
出願日： 1996年03月21日
公開日（公表日）： 1996年12月03日
要約：

【要約】【課題】ウェーハ面内の温度分布の均一性を向上させた半導体製造装置を提供する。【解決手段】ヒータ220内に均熱管230を設けその内側に反応管100を設ける。反応管100は断面円状の反応管本体10とその外面に母線方向に沿って鉛直方向にそれぞれ設けられた4本のガス導入管111〜114を備える。ガス導入管111〜114の下端部からガスを供給し、反応管本体10の上部からガスをその内部に供給する。反応後のガスは反応管本体10の下端近傍の排気管51から排気される。反応管本体10内にボート210を設け、複数枚のウェーハ200を水平姿勢で多段に装填する。反応管本体10の周囲に等分配置された4本のガス導入管111〜114によりガスが供給されるので、反応管本体10の周囲が略均等条件となり、ウェーハ200の面内で局所的に冷却される部分がなくな温度分布の均一性が改善される。

請求項（抜粋）：

加熱手段と、前記加熱手段内に設けられた反応管であって、前記反応管の長手方向に所定の距離離間したガス導入部と排気部とを有する反応管と、前記反応管の前記排気部側から前記ガス導入部まで前記反応管の側壁に沿って延在すると共に互いに離間する複数のガス導入管と、を備えることを特徴とする半導体製造装置。

IPC (3件)：

H01L 21/22 511 ,  G01J 5/02 ,  H01L 21/31

FI (3件)：

H01L 21/22 511 S ,  G01J 5/02 J ,  H01L 21/31 E