特許

J-GLOBAL ID：200903036640965657

半導体装置及びその製造方法

発明者： 小山田 利彦 ,  原川 秀明
出願人/特許権者： 岩手東芝エレクトロニクス株式会社 ,  株式会社東芝
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-048931
公開番号（公開出願番号）：特開2000-252422
出願日： 1999年02月25日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
要約：

【要約】【課題】 小さな占有面積でキャパシタ容量の大きい半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 絶縁物2上に形成された第1の電極4と、第1の電極4の側面13に形成された誘電体膜5と、素子分離領域2上に形成された第2の電極6であって、側面の1部が誘電体膜5を介して第1の電極4の側面13と対向している第2の電極6とを少なくとも有する半導体装置である。第1及び第2の電極4、6は互いの側面を誘電体膜5を介して対向させることによりキャパシタを形成することができる。したがって、櫛の幅を狭めて櫛の数を増やすことで、素子の占有面積を増やさずにキャパシタ容量を増やすことができる。

請求項（抜粋）：

少なくとも1以上の折り曲がり部を有する平面パターン形状の第1の電極と、前記第1の電極の側面に配置された誘電体膜と、前記誘電体膜により前記第1の電極から絶縁された第2の電極であって、前記第1の電極の側面と対向している第2の電極と、を有するキャパシタ部を少なくとも有する半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822

Fターム (6件)：

5F038AC04 ,  5F038AC15 ,  5F038EZ13 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ17 ,  5F038EZ20