不揮発性半導体メモリ装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤巻正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-108091
公開番号（公開出願番号）：特開平6-318684
出願日： 1993年05月10日
公開日（公表日）： 1994年11月15日
要約：

【要約】【目的】 NAND型不揮発性メモリセルブロックを構成する複数個のメモリセルにデータを同時に書き込むことができてデータの書き込みに要する時間を著しく短縮することができる不揮発性半導体メモリ装置を提供する。【構成】 n型基板14にはp型ウエル拡散層16a,16b,16cが相互に分離して形成されている。これらのウエル拡散層16a,16b,16cには例えば4個の不揮発性メモリセルが設けられており、これら4個のメモリセルによりNAND型メモリセルブロックが構成されている。また、各ウエル拡散層16a,16b,16cには、ウエル拡散層電圧印加手段により個別的に電圧が印加できるようになっている。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面に選択的に形成された複数個のウエル拡散層と、各ウエル拡散層に設けられたNAND型メモリセルブロックと、前記複数個のウエル拡散層に個別的に電圧を印加することが可能のウエル拡散層電圧印加手段とを有し、前記NAND型メモリセルブロックは各ウエル拡散層の表面に適長間隔をおいて形成された複数個のソース・ドレイン領域と、これらのソース・ドレイン領域の間の上方に配設された複数個のフローティングゲート及びコントロールゲートとにより構成された複数個の不揮発性メモリセルが直列接続されたものであることを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置。

IPC (4件)：

H01L 27/115 , G11C 16/02 , G11C 16/04 , G11C 16/06

FI (3件)：

H01L 27/10 434 , G11C 17/00 307 D , G11C 17/00 309 A

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