特許

J-GLOBAL ID：200903036645810813

半導体基板およびその製造方法

発明者： 後藤 光彦 ,  城生 愛次 ,  立川 昭義 ,  二木 登史郎 ,  橋口 原
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 八田 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-098776
公開番号（公開出願番号）：特開平8-293447
出願日： 1995年04月24日
公開日（公表日）： 1996年11月05日
要約：

【要約】【目的】 シリコン基板上に化合物半導体層をエピタキシャル成長させる際に、シリコン基板と化合物半導体層との界面に生成する低抵抗層をなくした半導体基板およびその製造方法を提供する。【構成】 シリコン基板1表面に、化合物半導体層2をエピタキシャル成長し、該化合物半導体層2上にマスク材3を形成して、その一部を開口し、この開口から化合物半導体層2とシリコン基板1の一部を除去して開口部4を作り、このから前記シリコン基板表面を化合物半導体層との界面に沿って除去して空間10を設け、この空間から前記化合物半導体層内にシリコンが拡散した部分30を除去することを特徴とする半導体基板の製造方法およびこれによって得られた半導体基板。

請求項（抜粋）：

シリコン基板上に化合物半導体層を形成した半導体基板において、前記シリコン基板と前記化合物半導体層との界面部分の一部に空間を有し、前記化合物半導体層の該空間に接した部分からシリコンが拡散した部分が除去されていることを特徴とする半導体基板。

IPC (3件)：

H01L 21/02 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/308

FI (3件)：

H01L 21/02 B ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/308 B