特許

J-GLOBAL ID：200903036651574633

化合物半導体素子

発明者： 宇田川 隆
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社
代理人 (1件)： 矢口 平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-261044
公開番号（公開出願番号）：特開平10-107315
出願日： 1996年10月01日
公開日（公表日）： 1998年04月24日
要約：

【要約】【課題】 形成が容易で優れた素子特性を安定して与えるの活性層を提供する。【解決手段】 成膜が容易な低インジウム組成比のIII 族窒化物化合物半導体からなる微小結晶体と、結晶体構成材料よりも電子親和力をより小とするIII 族窒化物化合物半導体からなる母層体の2相から活性層を形成する。

請求項（抜粋）：

インジウムを含有してなるIII 族窒化物化合物半導体を活性層として具備してなる化合物半導体素子にあって、インジウムを含有するIII 族窒化物化合物半導体からなる結晶体と、該結晶体よりも電子親和力を小とするIII 族窒化物化合物半導体材料から構成された母体層との2相からなる活性層を備えた化合物半導体素子。