特許
J-GLOBAL ID：200903036652372686
半導体層のアニール方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-185665
公開番号（公開出願番号）：特開平6-005537
出願日： 1992年06月22日
公開日（公表日）： 1994年01月14日
要約：
【要約】【目的】 パルスレーザ光の照射によりアモルファスシリコン層を結晶化してポリシリコン層とする際、ポリシリコンの結晶粒径を大きくする。【構成】 パルスレーザ源1から出射された1つの出射レーザ光2を5つの分割レーザ光4a〜4eに分割する。各分割レーザ光4a〜4eは、光路長が相互に異なる光路を通過し、かつ光路長が長くなるほど減衰され、この後合成される。これにより得られたアニール用レーザ光8は、パルス幅が長くかつ該パルス幅のある時点以降のレーザ強度がシリコンの凝固点に対応する強度以下のレーザ光となる。したがって、このアニール用レーザ光8を半導体層(アモルファスシリコン層)9に照射すると、一度溶融したシリコンの凝固速度を遅くすることができ、ひいては結晶粒径を大きくすることができる。
請求項（抜粋）：
パルスレーザ源から出射された出射レーザ光をアモルファスシリコンやポリシリコン等からなる半導体層に照射して該半導体層をアニールする際、前記パルスレーザ源から出射された出射レーザ光に基づいて、パルス幅が前記出射レーザ光のそれよりも長くかつ該パルス幅のある時点以降のレーザ強度がシリコンの凝固点に対応する強度以下であるアニール用レーザ光を形成し、該アニール用レーザ光を前記半導体層に照射するようにしたことを特徴とする半導体層のアニール方法。
IPC (2件)：
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