特許
J-GLOBAL ID：200903036657139513
光半導体素子、及びこれを備えた波長可変光源
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
柳田 征史
, 佐久間 剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-096871
公開番号（公開出願番号）：特開2007-273690
出願日： 2006年03月31日
公開日（公表日）： 2007年10月18日
要約：
【課題】斜め光導波路構造を有するSLDやSOA等の光半導体素子において、広帯域性を損なうことなく、高出力化を図る。【解決手段】光半導体素子1は、第1導電型半導体基板11に、第1導電型電極41と半導体活性層15と第2導電型電極42とが設けられた素子である。光半導体素子1においては、一素子端面1Rに形成された第1の光導波路口51から、一素子端面1R又は他素子端面1Fに形成された第2の光導波路口52に連通し、少なくとも一部が一素子端面1Rの法線方向に対して斜めに延びる光導波路50が形成されており、かつ、光導波路50が、第1の光導波路口51の近傍部分及び第2の光導波路口52の近傍部分を除く範囲内に、第1の光導波路口51の幅W1及び第2の光導波路口52の幅W2よりも広い幅広部55を有する幅パターンで形成されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1導電型半導体基板に、第1導電型電極と半導体活性層と第2導電型電極とが設けられた光半導体素子において、
前記半導体基板の基板面に対して非平行な一素子端面に形成された第1の光導波路口から、該一素子端面又は他素子端面に形成された第2の光導波路口に連通し、少なくとも一部が前記一素子端面の法線方向に対して斜めに延びる光導波路が形成されており、
かつ、該光導波路が、前記第1の光導波路口の近傍部分及び前記第2の光導波路口の近傍部分を除く範囲内に、前記第1の光導波路口の幅及び前記第2の光導波路口の幅よりも広い幅広部を有する幅パターンで形成されていることを特徴とする光半導体素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (14件)：
5F173AA05
, 5F173AB34
, 5F173AB44
, 5F173AB45
, 5F173AB49
, 5F173AB62
, 5F173AB65
, 5F173AB66
, 5F173AG05
, 5F173AL04
, 5F173AP05
, 5F173AP13
, 5F173AR06
, 5F173AR14
