特許

J-GLOBAL ID：200903036663084712

プラズマを用いたC60合成方法

発明者： 林 茂則 ,  寺本 聡 ,  伊藤 健二 ,  山崎 舜平
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-017929
公開番号（公開出願番号）：特開平7-206414
出願日： 1994年01月18日
公開日（公表日）： 1995年08月08日
要約：

【要約】【目的】 5〜150Torrの圧力におけるCVDプロセスでC60を形成する方法を提供する。【構成】 炭素六員環を有する炭素分子からなるガスを、希ガスによりすでに形成された5〜150Torrの放電空間中に吹き込むことにより活性化し、CVDプロセスによって気相中でC60を形成させ、従来の方法に遜色の無い収率においてC60を含有する生成物を得る。これにより安価な反応装置により、かつ不純物添加などの点で将来性が高い方法によりC60を得ることが可能となる。

請求項（抜粋）：

5〜150Torrの圧力に保持され、どちらか一方もしくは両方の表面に誘電体層が設置されている一対の電極の間隙に希ガスを送流状態に設定し、該電極間に電磁波を加えて希ガスによる1000K以下の温度のプラズマ放電空間を形成する放電装置を用いて、炭素原料ガスを放電状態にある希ガス内に外部より添加し、該放電状態のエネルギーを用いて気相中でC60を形成せしめ、これを各種基体に対して吹きつけることを特徴とするプラズマを用いたC60合成方法。

IPC (4件)：

C01B 31/02 101 ,  C01B 31/02 ZAA ,  C01G 1/00 ,  H05H 1/42