特許

J-GLOBAL ID：200903036671961099

シリコン単結晶棒およびその引上げ方法

発明者： 中嶋 健 ,  降屋 久 ,  新行内 隆之
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社 ,  三菱マテリアルシリコン株式会社
代理人 (1件)： 安倍 逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-092064
公開番号（公開出願番号）：特開平6-279188
出願日： 1993年03月26日
公開日（公表日）： 1994年10月04日
要約：

【要約】【目的】 絶縁耐圧などの電気特性の向上した半導体デバイスを製造することができるシリコン単結晶棒およびその製造方法を提供する。【構成】 シリコン単結晶棒のCOPの密度を104個/cm3以下、もしくは、そのFPDの密度を104個/cm3以下、または、そのLSTD密度を104個/cm3以下とする。このシリコン単結晶棒からシリコンウェーハを製造し、このシリコンウェーハにMOSキャパシタを形成すると、その酸化膜の絶縁耐圧が向上している。すなわち、電気的特性の優れた半導体デバイスを形成できる。このシリコン単結晶棒は1200°C〜1420°Cに1時間以上保持して引き上げる。

請求項（抜粋）：

COPの密度が104個/cm3以下、もしくは、FPDの密度が104個/cm3以下、または、LSTD(赤外散乱体)の密度が104個/cm3以下であることを特徴とするシリコン単結晶棒。

IPC (4件)：

C30B 29/06 502 ,  C30B 29/06 ,  C30B 15/14 ,  H01L 21/208