特許
J-GLOBAL ID：200903036674839774
ジョセフソン接合素子及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-240008
公開番号（公開出願番号）：特開平5-259518
出願日： 1991年09月19日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 本発明は耐熱性に優れ、高いTc を有し、高速性にすぐれ、低雑音のジョセフソン接合素子及びその製造方法を提供することを目的とする。【構成】 基板12上に、Nbを含む超伝導下部電極14を形成し、下部電極上に高融点金属の窒化物16よりなるオーバーレイア層を、コヒーレント長以下の厚さに形成し、オーバーレイア層の上面をプラズマ酸化等の処理により変質させて、高融点金属を含む絶縁性トンネルバリア層18を形成する。このトンネルバリア層にNbを含む超伝導上部電極20を形成する。NbNを上部及び下部電極に用いてもよい。
請求項（抜粋）：
Nbを含む超伝導材料よりなる第1の電極層と;高融点金属の窒化物よりなり、前記第1の電極層上主面上に設けられたオーバーレイア層と;前記オーバーレイア層の上主面上に形成され、前記高融点金属の化合物よりなる絶縁性トンネルバリア層と;Nbを含む超伝導材料よりなり、前記絶縁性トンネルバリア層の上主面上に形成された第2の電極層とを備えてなるジョセフソン接合素子。
IPC (2件)：
H01L 39/22 ZAA
, H01L 39/24 ZAA
