特許

J-GLOBAL ID：200903036675675392

ダイヤモンド半導体の製造方法

発明者： 小山 久 ,  西村 耕造
出願人/特許権者： 株式会社神戸製鋼所
代理人 (1件)： 藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-066193
公開番号（公開出願番号）：特開平7-277899
出願日： 1994年04月04日
公開日（公表日）： 1995年10月24日
要約：

【要約】【目的】 半導体ダイヤモンド層の厚さ及びドーピング濃度を高精度で制御でき、再現性良く半導体ダイヤモンド層を形成することができるダイヤモンド半導体の製造方法を提供する。【構成】 窒化珪素基板1上にダイヤモンド薄膜2がマイクロ波プラズマCVD法により気相合成されており、ダイヤモンド薄膜2の表面の両端部にマスク3が設けられている。そして、この窒化珪素基板1、ダイヤモンド薄膜2及びマスク3をマイクロ波プラズマCVD装置のチャンバ内に配置し、チャンバ内にB2 H6 ガス及びH2 ガスの混合ガスを導入する。この混合ガスをプラズマにより分解励起すると分離されたB原子がマスク3で覆われていないダイヤモンド薄膜2の表面に拡散し、p型の半導体ダイヤモンド層4が形成される。この半導体ダイヤモンド層4の厚さは拡散時間により制御できる。また、混合ガス中のB2 H6 ガスの濃度を制御することにより、ドーピング濃度を高精度で制御できる。

請求項（抜粋）：

ダイヤモンドをドーピングガス中又はそのドーピングガスと希釈ガスとの混合ガス中に配置し、前記ドーピングガスをプラズマにより分解励起して分離された不純物元素を前記ダイヤモンド中に拡散させることにより前記ダイヤモンドの表面に半導体ダイヤモンド層を形成することを特徴とするダイヤモンド半導体の製造方法。

IPC (2件)：

C30B 31/06 ,  H01L 21/22