特許
J-GLOBAL ID:200903036678426156

半導体記憶装置のビット線のリセット方法及び半導体記憶装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 恩田 博宣
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-005952
公開番号(公開出願番号):特開平7-211074
出願日: 1994年01月24日
公開日(公表日): 1995年08月11日
要約:
【要約】【目的】書き込み直後のリセット時間を短縮する。【構成】 コラム選択信号生成回路4は、リカバリ信号生成回路3からのリカバリ信号WRとコラムデコーダ2からのコラム選択信号CDを入力し、書き込み及び読み出し動作においてはコラムデコーダからのコラム選択信号CDに基づいて一対のコラムスイッチCa,Cbを選択し、その一対のコラムスイッチCa,Cbに接続された一対のビット線対BL,バーBLと共通データバス線LD,バーLDとを接続し、ライトイネーブル信号バーWEの立ち上がりに基づいて所定の時間全てのコラムスイッチCa,Cbを選択して全てのビット線対BL,バーBLと共通データバス線LD,バーLDとを接続する第2のコラム選択信号WCD ,バーWCD を生成する。
請求項(抜粋):
複数のビット線対に接続されたメモリセルに対してデータの読み出し及び書き込み動作を行う半導体記憶装置のビット線のリセット方法であって、書き込み動作終了後に少なくとも一つの他のビット線対とをショートさせて該書き込まれたビット線対をリセットさせるようにした半導体記憶装置のビット線対のリセット方法。

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