特許

J-GLOBAL ID：200903036695154380

液晶表示装置及びその製造方法

発明者： 辻 佳子 ,  中井 豊 ,  遠藤 尚彦 ,  内古閑 修一 ,  大竹 利也
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-237490
公開番号（公開出願番号）：特開平9-080401
出願日： 1995年09月14日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 特性の優れた透明画素電極、液晶マイクロカプセル層を有する液晶表示装置を提供する。【解決手段】 液晶表示装置は、絶縁基板上に薄膜トランジスタと、信号線と、走査線とが形成されたアレイ基板と、このアレイ基板上に形成された絶縁膜と、絶縁膜上に形成され、対応する前記薄膜トランジスタのソース電極或いはドレイン電極の一方と電気的に接続された所定形状の第1の画素電極と、第1の画素電極の上側から絶縁膜上に形成された第1の液晶マイクロカプセル層と、この液晶マイクロカプセル層上に形成された紫外線遮光膜と、紫外線遮光膜上に形成され、対応する薄膜トランジスタのソース電極或いはドレイン電極の他方と電気的に接続された所定形状の第2の画素電極と、第2の画素電極の上側から紫外線遮光膜上に形成された第2の液晶マイクロカプセル層とを具備する。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に薄膜トランジスタと、信号線と、走査線とが形成されたアレイ基板と、前記アレイ基板上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成され、対応する前記薄膜トランジスタのソース電極或いはドレイン電極の一方と電気的に接続された第1の画素電極と、前記第1の画素電極の上側から前記絶縁膜上に形成された第1の液晶マイクロカプセル層と、前記液晶マイクロカプセル層上に形成された紫外線遮光膜と、前記紫外線遮光膜上に形成され、対応する前記薄膜トランジスタのソース電極或いはドレイン電極の他方と電気的に接続された第2の画素電極と、前記第2の画素電極の上側から前記紫外線遮光膜上に形成された第2の液晶マイクロカプセル層とを具備することを特徴とする液晶表示装置。

IPC (3件)：

G02F 1/1333 ,  G02F 1/1333 500 ,  G02F 1/136 500

FI (3件)：

G02F 1/1333 ,  G02F 1/1333 500 ,  G02F 1/136 500