特許
J-GLOBAL ID：200903036700838242
半導体製造装置等の清掃方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-283653
公開番号（公開出願番号）：特開平6-106480
出願日： 1992年09月28日
公開日（公表日）： 1994年04月19日
要約：
【要約】【目的】 半導体製造装置等の清掃方法に関するものであり、清掃後の被清掃物への汚染微粒子の付着が少なく、製品の製造時における製品の歩留まりの良好な清掃方法を提供する。【構成】 半導体製造装置等の清掃方法において、結晶石灰岩を投射材としてブラスト処理した後、酸洗を行い、次いで、純水で水洗することを特徴とする半導体製造装置等の清掃方法。
請求項（抜粋）：
半導体製造装置等の清掃において、結晶石灰岩を投射材としてブラスト処理を行った後、酸洗い、次いで、純水による水洗を行うことを特徴とする半導体製造装置等の清掃方法。
IPC (4件)：
B24C 1/00
, B08B 7/04
, B24C 11/00
, C23C 14/22
