特許

J-GLOBAL ID：200903036705015929

光半導体素子作製法

発明者： 忠永 修 ,  香川 俊明
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 光石 俊郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-049273
公開番号（公開出願番号）：特開平11-249091
出願日： 1998年03月02日
公開日（公表日）： 1999年09月17日
要約：

【要約】【課題】 光半導体素子の作製法を提供することを課題とする。【解決手段】 前記反射光同士が同位相となって強めあう山あるいは逆位相となって弱めあう谷に着目した時に、前記高反射率率ミラーを形成後に前記基板の裏面側から入射した光に対して前記高反射率ミラーと前記低反射率ミラーとでの基板裏面側への反射光が干渉して生ずる反射スペクトルが使用する光波長において逆位相となって弱めあう谷となるように、前記山に隣り合う山との間隔あるいは前記谷に隣り合う谷との間隔のほぼ0.4倍に相当する分だけ使用する波長から長波長側に移動した位置に、前記ミラーを形成する前の反射スペクトルの谷が来るように前記第2の導電型の半導体領域層の厚さをエッチングにより減少させる光半導体素子の作製法。

請求項（抜粋）：

裏面に無反射コーティングの施された半導体基板上に形成された屈折率の異なる2種の第1の半導体層を交互に積層してなる低反射率ミラーと、該低反射率ミラーの上部に形成され、電界の印加もしくは光強度により吸収率の変化する半導体領域からなる光変調層と、該光変調層の上部に形成された第2の半導体領域層と、該第2の半導体領域層の上部に形成された金の膜でなる高反射率ミラーとを少なくとも備える光半導体素子の作製方法であって、前記高反射率ミラーを形成する前に、使用する光波長を含むように光波長を変化させながら前記第2の半導体領域層の表面側から入射した光の前記半導体領域層の表面での反射光と、前記低反射率ミラーからの反射光が干渉して生ずる反射スペクトルにおいて、前記反射光同士が同位相となって強めあう山あるいは逆位相となって弱めあう谷に着目した時に、前記高反射率率ミラーを形成後に前記基板の裏面側から入射した光に対して前記高反射率ミラーと前記低反射率ミラーとでの基板裏面側への反射光が干渉して生ずる反射スペクトルが使用する光波長において逆位相となって弱めあう谷となるように、前記山に隣り合う山との間隔あるいは前記谷に隣り合う谷との間隔のほぼ0.4倍に相当する分だけ使用する波長から長波長側に移動した位置に、前記ミラーを形成する前の反射スペクトルの谷が来るように前記第2の半導体領域層の厚さをエッチングにより減少させることを特徴とする光半導体素子の作製法。