特許

J-GLOBAL ID：200903036705519676

ホットキャリア検出素子及びそれを用いたホットキャリア制御装置

発明者： 五十嵐 泰史
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 清水 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-214579
公開番号（公開出願番号）：特開平10-065014
出願日： 1996年08月14日
公開日（公表日）： 1998年03月06日
要約：

【要約】【課題】 ホットキャリアをリアルタイムで制御することができ、ホットキャリアの発生を抑えるようにMOSFETを駆動させることが可能なため、微細化に伴うホットキャリアによるMOSFETの相互コンダクタンスGm劣化を抑えることができるホットキャリア検出素子及びそれを用いたホットキャリア制御装置を提供する。【解決手段】 MOSFET31の基板電流検出にバイポーラトランジスタ32を設け、このバイポーラトランジスタ32は、MOSFET31のソース27をエミッタとし、MOSFET31のチャネル領域と同じ導電型(p型)で、且つチャネル領域を含む基板領域の一部をベース25とし、MOSFET31のチャネル領域と反対の導電型(n型)で、且つ、チャネル領域を含まない基板領域の部分をコレクタ29とする。

請求項（抜粋）：

MOSFETの基板電流を検出し増幅するホットキャリア検出素子において、前記MOSFETの基板電流検出にバイポーラトランジスタを設けることを特徴とするホットキャリア検出素子。

IPC (8件)：

H01L 21/8222 ,  H01L 27/06 ,  G01R 31/26 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/66

FI (6件)：

H01L 27/06 101 U ,  G01R 31/26 B ,  H01L 21/66 Y ,  H01L 27/08 102 F ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 301 T

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特開平4-057369
  
• 特開昭53-138684
  

審査官引用 (4件)

• 特開平4-057369
  
• 特開平4-057369
  
• 特開昭53-138684
  
• 特開昭53-138684