特許
J-GLOBAL ID：200903036706424970
電界効果トランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-224499
公開番号（公開出願番号）：特開平8-088234
出願日： 1994年09月20日
公開日（公表日）： 1996年04月02日
要約：
【要約】【目的】 ソース抵抗を低減してgmを増大させることのできる電界効果トランジスタを提供する。【構成】 能動層となる第1の半導体層4と第2の半導体層16とのサイドコンタクト91における、それぞれの伝導帯の底部のエネルギー準位(それぞれEc<SB>1</SB>およびEc<SB>2</SB>と記述する)のエネルギー的な差ΔEc=Ec<SB>1</SB>-Ec<SB>2</SB>が、Ec<SB>1</SB>-Ef<ΔEc<Ef-Ec<SB>2</SB>なる条件を満たす構成とする。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、能動層となる第1の半導体層、該第1の半導体層を流れる電流量を制御するゲート電極、および前記第1の半導体層の両側面部に接合した第2の半導体層および第3の半導体層を有する電界効果トランジスタにおいて、前記第1の半導体層と前記第2の半導体層との接合部分付近における前記第1の半導体層の伝導帯の底部Ec1と前記第2の半導体層の伝導帯の底部Ec2とのエネルギー的な差ΔEc=Ec1-Ec2が前記第1の半導体層と前記第2の半導体層との接合部分において、【数1】を満たすことを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
