特許

J-GLOBAL ID：200903036712875682

容量可変素子

発明者： 佐藤 咲子 ,  喜多 隆介 ,  増田 義行 ,  大谷 昇
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 小池 隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-324309
公開番号（公開出願番号）：特開平11-162785
出願日： 1997年11月26日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、セラミック基板上に容易に低コストで形成でき、小型、低電圧で大きな容量変化が得られ、1GHz以上の周波数でもキャパシタ特性が劣化しない容量可変素子を提供することを目的としている。【解決手段】 基板1上に少なくとも下部電極2、誘電体薄膜3、及び上部電極5を順次備えて構成されており、誘電体薄膜3が、チタン酸バリウムのバリウム元素が部分的にマグネシウム、カルシウム、又はマグネシウムとカルシウムとの双方で置換されてなり、下部電極2と上部電極5との間に電圧を印加して容量を変化させ得る容量可変素子を構成する。

請求項（抜粋）：

基板上に少なくとも下部電極、誘電体薄膜、及び上部電極を順次備えて構成されており、前記誘電体薄膜が、チタン酸バリウムのバリウム元素が部分的にマグネシウム、カルシウム、又はマグネシウムとカルシウムとの双方で置換されてなり、前記下部電極と上部電極との間に電圧を印加して容量を変化させ得ることを特徴とする容量可変素子。