特許
J-GLOBAL ID：200903036715561662
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-159044
公開番号（公開出願番号）：特開平5-013376
出願日： 1991年06月28日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：
【要約】【目的】 酸化膜と基板に対するエッチング選択比が高く、基板に結晶欠陥を起こすことなく酸化膜をエッチングして半導体装置を製造することのできる半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 LSIの製造工程におけるドライエッチングを行なう際に、式:Cn F2n+2又はCn F2n(n=2〜6)のフッ化炭素ガスまたはフッ化炭素ガスとπ結合を有するCOもしくはNOガスを使用する。
請求項（抜粋）：
LSIの製造工程におけるドライエッチングを行なう際に、式:Cn F2n+2又はCn F2n(n=2〜6)のフッ化炭素ガスとπ結合を有するCOもしくはNOガスを使用することを特徴とする半導体装置の製造方法。
引用特許：
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