特許

J-GLOBAL ID：200903036717572432

半導体装置の製造方法

発明者： 門村 新吾
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-078967
公開番号（公開出願番号）：特開平10-027786
出願日： 1987年10月29日
公開日（公表日）： 1998年01月27日
要約：

【要約】【課題】 Siに対してトレンチエッチングを行う工程をもつ半導体装置の製造方法において、高アスペクト比のトレンチ(穴や溝等)を、形状制御良く、高いエッチング速度で生産性良く形成できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 Si1に対してトレンチエッチングを行う工程を有する半導体装置の製造方法において、エッチングガスとして、塩化ケイ素と窒素と塩素とを含むガス(SiCl4 /N2 /Cl2 混合ガス等)を用い、エッチング中に形成されつつあるトレンチ2のシリコン側壁に、シリコン窒化物3を堆積させながら、プラズマエッチングを行い、前記トレンチを形成する。

請求項（抜粋）：

シリコンに対してトレンチエッチングを行う工程を有する半導体装置の製造方法において、エッチングガスとして、塩化ケイ素と窒素と塩素とを含むガスを用い、エッチング中に形成されつつあるトレンチのシリコン側壁に、シリコン窒化物を堆積させながら、プラズマエッチングを行い、前記トレンチを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00

FI (2件)：

H01L 21/302 J ,  C23F 4/00 E

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭59-067635
  
• 特開昭62-232927
  
• 特開昭62-282457