特許

J-GLOBAL ID：200903036718759919

サファイア基板のスクライブ加工方法

発明者： 内堀 邦彦
出願人/特許権者： シチズンファインテックミヨタ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-074591
公開番号（公開出願番号）：特開2009-226725
出願日： 2008年03月21日
公開日（公表日）： 2009年10月08日
要約：

【課題】サファイア基板を低密度レーザー光線でスクライブする。【解決手段】サファイア基板のレーザー光線によるスクライブ加工方法において、レーザー光線がサファイア基板領域外からサファイ基板領域に入る食い付きの部分を超音波Qスイッチによる高密度照射で加工をし、次にCWレーザにより低密度照射でスクライブするサファイア基板のスクライブ加工方法とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

サファイア基板のレーザー光線によるスクライブ加工方法において、レーザー光線がサファイア基板領域外からサファイ基板領域に入る食い付きの部分を超音波Qスイッチによる高密度照射で加工をし、次にCWレーザにより低密度照射でスクライブすることを特徴とするサファイア基板のスクライブ加工方法。

IPC (2件)：

B28D 5/00 ,  B23K 26/00

FI (3件)：

B28D5/00 Z ,  B23K26/00 D ,  B23K26/00 G

Fターム (12件)：

3C069AA03 ,  3C069BA08 ,  3C069BB03 ,  3C069CA03 ,  3C069CA06 ,  3C069EA01 ,  3C069EA02 ,  4E068AD01 ,  4E068CA01 ,  4E068CA08 ,  4E068CD02 ,  4E068DB12

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特開昭61-30049号公報