特許

J-GLOBAL ID：200903036718938406

位相シフト・マスクの製造方法

発明者： 佐藤 淳一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-194259
公開番号（公開出願番号）：特開平6-258816
出願日： 1992年07月21日
公開日（公表日）： 1994年09月16日
要約：

【要約】【目的】 位相シフト・マスクの位相シフタを形成するための透明膜のエッチングを、ガラス基板に対して高選択性を維持しながらドライ・プロセスで行う。【構成】 ガラス基板1上に形成されたCr遮光膜2を被覆して薄いSiOx Ny 停止層3を形成し、その上をSiOx 透明膜4で平坦化し、レジスト・マスク5を形成する。SiOx Ny 停止層3とSiO2 透明膜4の屈折率は一致させておく。S2 F2 ガスを用いてSiO2 透明膜4をエッチングすると、SiOx Ny 停止層3が露出した時点で、その表面に生成するN原子のダングリング・ボンドにプラズマ中の遊離のS(イオウ)が結合し、主としてポリチアジル(SN)x からなる表面保護膜が形成され、高選択性が達成される。この後、SiOx Ny 停止層3の露出部もエッチング除去し、位相シフタ6を完成する。

請求項（抜粋）：

透明基板上に積層された透明膜をエッチングして、露光光の位相をシフトさせるための位相シフタを所望のパターンに形成する位相シフト・マスクの製造方法において、前記透明基板と前記透明膜との間に窒素を構成元素として含有するエッチング停止層を設け、放電解離条件下でプラズマ中に遊離のイオウを放出し得るイオウ系化合物を含むエッチング・ガスを用いて前記透明膜のエッチングを行い、このエッチングの終点近傍では前記エッチング停止層の露出面上に窒化イオウ系化合物を堆積させることを特徴とする位相シフト・マスクの製造方法。

IPC (3件)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/302

FI (2件)：

H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 528