特許
J-GLOBAL ID：200903036723698626
結晶学的配向シリコン成長用テンプレート層としてのビスマス・チタン酸塩
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-079076
公開番号（公開出願番号）：特開平8-051106
出願日： 1995年04月04日
公開日（公表日）： 1996年02月20日
要約：
【要約】【目的】 異なる組成の非結晶またはガラス質基板上に、結晶学的に配向されたシリコンを形成する代替技術を提供すること。【構成】 例えばSiO2 のガラス質層(10)の上に、結晶学的に配向されたシリコン層(14)を形成する方法。好ましくはBi4 Ti3 O12である、積層されたペロブスカイトは、膜に対し垂直な長いc- 軸についての成長に好都合な条件下で、ガラス質層(10)上に堆積される。それから、シリコンは、通常は単結晶成長に好都合な条件下で、テンプレート層(12)上に成長される。これによって、下にあるテンプレート層(12)に整列して結晶学的に成長する。
請求項（抜粋）：
ガラス質表面を有する基板と;テンプレート層であって、上記層の主要面に対し実質的に垂直な長軸について結晶学的に配向される前記ガラス質表面上に堆積された積層ペロブスカイトを備える前記テンプレート層と;前記テンプレート層上に堆積され、実質的かつ結晶学的に整列されたシリコン層とを備える、シリコン・ヘテロ構造。
IPC (3件)：
H01L 21/316
, H01L 21/205
, H01L 29/04
