特許

J-GLOBAL ID：200903036725650582

高分子物質の抽出方法及びパターン形成材料の製造方法

発明者： 森田 清之 ,  遠藤 政孝
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-006430
公開番号（公開出願番号）：特開2003-207490
出願日： 2002年01月15日
公開日（公表日）： 2003年07月25日
要約：

【要約】【課題】 分子量分布の小さい高性能な高分子物質の抽出方法およびパターン形成材料の製造方法を提供する。【解決手段】 固定相としてシリカゲルを充填した分離カラム10を準備し,分離カラム10内に二酸化炭素を導入して20MPaに加圧し,40°Cに保持する。ポリパラ-t-ブトキシスチレン(PTBST)等の高分子物質を超臨界状態又は亜臨界状態の二酸化炭素中に分散させた移動相を分離カラム10内に流して,いわば超臨界クロマトグラフィーにより,高分子物質を所望の分子量(重合度)の範囲ごとに区分し,この区分ごとに取り出す。

請求項（抜粋）：

高分子物質を超臨界状態又は亜臨界状態の流体中に分散させたものを移動相として生成するステップ(a)と,上記移動相を,上記高分子物質と相互作用を行なう特性を有する固定相の表面と接触させながら流動させて,上記高分子物質を上記固定相からの分離しやすさに応じて区分するステップ(b)とを含む高分子物質の抽出方法。

IPC (10件)：

G01N 30/02 ,  B01D 11/04 ,  B01D 15/00 ,  B01D 15/08 ,  G01N 30/26 ,  G01N 30/28 ,  G01N 30/88 ,  G03F 7/033 ,  G03F 7/039 601 ,  G01N 30/48

FI (11件)：

G01N 30/02 N ,  B01D 11/04 C ,  B01D 15/00 K ,  B01D 15/08 ,  G01N 30/26 A ,  G01N 30/28 ,  G01N 30/88 J ,  G01N 30/88 P ,  G03F 7/033 ,  G03F 7/039 601 ,  G01N 30/48 K

Fターム (35件)：

2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB56 ,  4D017AA03 ,  4D017BA07 ,  4D017CA01 ,  4D017CA06 ,  4D017CB01 ,  4D017CB10 ,  4D017DA01 ,  4D017DA03 ,  4D017DB03 ,  4D017DB10 ,  4D017EA01 ,  4D017EB02 ,  4D017EB07 ,  4D017EB10 ,  4D056AB20 ,  4D056AC24 ,  4D056AC27 ,  4D056BA11 ,  4D056BA16 ,  4D056CA05 ,  4D056CA21 ,  4D056CA22 ,  4D056CA28 ,  4D056CA39 ,  4D056DA01 ,  4D056DA02 ,  4D056DA04