特許
J-GLOBAL ID：200903036726525986
シリコン積層体の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
久保田 耕平 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-329484
公開番号（公開出願番号）：特開平7-187642
出願日： 1993年12月27日
公開日（公表日）： 1995年07月25日
要約：
【要約】【目的】 薄膜でしかも結晶粒径の大きい多結晶シリコン膜を備えたシリコン積層体を簡便に製造できる方法を提供すること。【構成】 カーボンシートから成る基材1上に熱CVD法にて厚さ20μmの多結晶シリコン膜2を製膜し、この基材を加熱装置内に搬入して1400°C、5分間加熱処理を施し多結晶シリコン膜における未成長領域20のシリコン成分と基材1から供給される炭素成分とを反応させて基材との界面部位に炭化シリコン(SiC)膜21を形成すると共に、残りの多結晶シリコン膜により厚さ10μmの多結晶シリコン膜22を形成する方法。この方法によれば、多結晶シリコン膜2の未成長領域20がSiC膜21になってカーボンシートから成る基材1と一体化される一方、表面側に存在する結晶粒径の大きい多結晶シリコンにより多結晶シリコン膜22が形成されるため、薄膜でしかも結晶粒径の大きい多結晶シリコンを備えたシリコン積層体3を簡便に製造できる効果を有している。
請求項（抜粋）：
気相成長法により製膜された多結晶シリコン膜を基材上に備えたシリコン積層体の製造方法において、上記基材を炭素系基材若しくは炭素被膜が形成された耐熱性基材により構成し、かつ、炭素系基材上若しくは耐熱性基材の上記炭素被膜上に気相成長法にて目的とする膜厚より厚い多結晶シリコン膜を製膜した後、この多結晶シリコン膜が製膜された炭素系基材若しくは耐熱性基材をシリコンの融点より低い温度で加熱処理し、多結晶シリコン膜と炭素系基材若しくは炭素被膜との界面部位においてシリコン成分と炭素成分とを反応させて界面部位の多結晶シリコン膜を炭化シリコン(SiC)に変化させることを特徴とするシリコン積層体の製造方法。
IPC (3件)：
C01B 33/02
, H01L 21/205
, H01L 31/04
