特許
J-GLOBAL ID：200903036729439762
堆積膜形成方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-184158
公開番号（公開出願番号）：特開平5-013347
出願日： 1991年06月28日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：
【要約】【目的】気相反応薄膜形成法によって形成される膜の諸特性を向上させるとともに生産性の向上を達成することのできる堆積膜形成法を提供する。【構成】基体上に気相反応薄膜形成法を用いて多結晶膜を形成する堆積膜形成方法において、堆積膜を形成する前に、基体上に薄膜層を形成し、この薄膜層にエッチング処理を施すことによって結晶核を基体表面に残留させ、ついでこの結晶核を成長させる。【効果】非晶質基体上に低温で良質の結晶シリコンあるいはシリコンゲルマニウム結晶が得られるようになり、半導体装置の特性の向上が可能となる
請求項（抜粋）：
基体上に気相反応薄膜形成法を用いて多結晶膜を形成する堆積膜形成方法において、前記堆積膜を形成するのに先立ち、前記基体上に薄膜層を形成する工程と、この薄膜層にエッチング処理を施す工程と、結晶核を前記基体表面に残留させた後、結晶核を成長させる工程とを具備することを特徴とする堆積膜形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/205
, H01L 21/302
