特許

J-GLOBAL ID：200903036736166615

高配向グラフアイトの製造方法

発明者： 星 敏春 ,  渡辺 和廣 ,  尾崎 豊一 ,  村上 睦明
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-257393
公開番号（公開出願番号）：特開平5-097418
出願日： 1991年10月04日
公開日（公表日）： 1993年04月20日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、X線、中性子線モノクロメ-タ-等の放射線光学素子に用いられる高配向グラファイトの製造方法に関するもので、グラファイト作製時の高温処理条件を改善し、高配向性のグラファイトを作製することを目的とする。【構成】 複数枚の高分子フィルム、あるいは高分子フィルムから得られた炭素質フィルムを複数枚積層し電気炉内にセットした後、室温より2600°C以上まで昇温し、2600°C以上の温度域で加圧処理を行う。その後一旦1500°C以下の温度域まで下げてから、再び初期加圧処理以上の温度域で無圧処理を行った後、再度、1500°C以下の温度域まで下げ、再び初期の加圧処理温度域以上まで昇温し、加圧処理を行うことにより高配向性のグラファイトが得られる。

請求項（抜粋）：

複数枚の高分子フィルム、あるいは高分子フィルムから得られた炭素質フィルムを複数枚積層して、2600°C以上の温度域で加圧処理を行った後、一旦1500°C以下の温度域まで下げてから、再び初期加圧処理以上の温度域で無圧熱処理を行った後、再度1500°C以下の温度域まで下げ、再び初期の加圧処理温度域以上まで昇温し、加圧処理を行うことによりグラファイト化することを特徴とする高配向グラファイトの製造方法。