複合発光素子の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岩橋文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-344507
公開番号（公開出願番号）：特開2001-168383
出願日： 1999年12月03日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
要約：

【要約】【課題】半導体発光素子を静電気保護素子等のサブマウント素子のウエハー上に搭載接合する工程時間を短縮するとともにハンドリングも向上し得る製造方法の提供。【解決手段】 p側及びn側の電極を含む静電気保護用のSiダイオード1のパターンを行列状に形成したSiダイオードウエハー4の上に、半導体発光素子2をフリップチップ型として導通搭載する製造方法であって、Siダイオード1の複数の互いに隣接するパターンに対応する複数の半導体発光素子2を形成したウエハー片3をSiダイオードウエハー4の行列に合わせて搭載し、ウエハー片3の複数の半導体発光素子2のそれぞれが分割されるようにウエハー片3及びSiダイオードウエハー4をダイシングする。

請求項（抜粋）：

透明基板の上に半導体薄膜層を積層するとともにこの積層膜の表面側にp側及びn側の電極をそれぞれ形成した半導体発光素子が、2つ以上の電極を持つサブマウント素子上に搭載接合された複合発光素子の製造方法であって、ウエハーに前記サブマウント素子を行列状に形成し、該ウエハーの上に複数の半導体発光素子を行列状に形成したウエハー片を電極パターンの行列に合わせて搭載接合した後、前記ウエハー片の複数の半導体発光素子のそれぞれが分割されるように前記ウエハー片及び前記ウエハーをダイシングする複合発光素子の製造方法。

Fターム (9件)：

5F041AA21 , 5F041AA31 , 5F041CB33 , 5F041DA02 , 5F041DA09 , 5F041DA12 , 5F041DA20 , 5F041DA83 , 5F041DB01

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