特許
J-GLOBAL ID：200903036737710149
アモルフアスシリコン系光電素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
阿部 龍吉 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-113635
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097473
出願日： 1980年12月03日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：
【要約】【目的】 pinジャンクション型光電変換の効率を改善することを目的とするものである。【構成】 i層にアモルフアスシリコン薄膜を含有するpーiーn接合型薄膜光電素子の製造方法において、シランとハイドロカーボンのプラズマ分解により、約50Å〜200Åの薄膜を有し、周期律表III 族の元素が0.05%〜4%のドープ量のアモルフアスシリコンカーバイドのp型ドープ薄膜を含むp層9を生成する。このようにして得られるアモルフアスシリコンカーバイドのp型ドープ薄膜をp層9に用いることにより効率を大幅に改善でき、太陽電池や光スイッチ等の光電素子として用いることができる。
請求項（抜粋）：
i層にアモルフアスシリコン薄膜を含有するpーiーn接合型薄膜光電素子の製造方法において、シランとハイドロカーボンのプラズマ分解により、約50Å〜200Åの薄膜を有し、周期律表III 族の元素が0.05%〜4%のドープ量のアモルフアスシリコンカーバイドのp型ドープ薄膜を含むp層を生成することを特徴とするアモルフアスシリコン系光電素子の製造方法。
引用特許：
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