特許

J-GLOBAL ID：200903036739481619

光学的画像形成可能材料、フォトレジスト材料等に高い高アスペクト比のVIA及び溝を形成する方法

発明者： ウィリアム タイ-ファ チョウ ,  ウェン-チョウ ヴィンセント ワン
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-077398
公開番号（公開出願番号）：特開平6-326222
出願日： 1994年04月15日
公開日（公表日）： 1994年11月25日
要約：

【要約】【目的】 画像反転型感光性材料の第1の層とポジタイプの感光性材料とよりなる材料層内に背の高い高アスペクト比の構造を形成するための簡単で安価な方法を提供する。【構成】 層は第2の層の形成、露光及び現像が実質的に第1の層内に形成されたパターンを変化及び破壊しないように形成され、化学線放射に露光され、現像される。一実施例において、第1の層は所望の高アスペクト比の構造の相補的画像又はネガティブよりなるマスクを通して露光される。第1の層内の画像は高温に加熱されることにより反転され、つぎに化学線放射のブランクフラッド露光が行われる。化学的に適合する感光性材料の第2の層は第1の層の上に形成される。第2の層は所望の構造のポジティブ画像よりなる第2のマスクを通して化学線放射に曝される。両方の層は構造から材料を除去するために現像液に曝され、よって所望の構造の形成が完了する。

請求項（抜粋）：

第1の感光性材料の層と該第1の感光性材料と異なる第2の感光性材料の層で3:1以上のアスペクト比と約3μm以上の高さとを有する一つ以上の構造を形成する方法であって、各々の層の形成、露光及び現像が他の層に形成されたパターンを実質的に変形又は破壊しないように、また各々の層が1μm以上の厚みを有するように、前記層を基板上に形成し、前記層を化学線放射の選択されたパターンに曝し、前記層を現像する各段階よりなることを特徴とする方法。

IPC (6件)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  G03F 7/26 ,  H01L 21/027 ,  G03F 7/038 ,  G03F 7/039

FI (2件)：

H01L 23/30 D ,  H01L 21/30 573