特許

J-GLOBAL ID：200903036740126466

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 熊倉 眞輔
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-033649
公開番号（公開出願番号）：特開平5-234384
出願日： 1992年02月20日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：

【要約】【目的】トンネル現象を利用した一括消去を行う場合、可変情報を記憶するメモリ・セル・トランジスタにおいてのみ、消去が行われ、消去させたくない情報を記憶するメモリ・セル・トランジスタにおいては、消去が行われないようにし、使い勝手の向上を図る。【構成】可変情報用に使用するメモリ・セル・トランジスタ400、401・・・40(m-1)、410、411・・・41(m-1)、・・・4n0、4n1・・・4n(m-1)はフラッシュ・メモリ・セル・トランジスタで構成し、固定情報用に使用するメモリ・セル・トランジスタ40m、41m・・・4nm及びリファレンス用のメモリ・セル・トランジスタ260、261・・・26nはEPROMセル・トランジスタで構成する。

請求項（抜粋）：

フラッシュ・メモリ・セル・トランジスタからなるメモリ・セル・トランジスタと、EPROMセル・トランジスタからなるメモリ・セル・トランジスタとを設けて構成されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (4件)：

G11C 16/02 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3件)：

G11C 17/00 307 Z ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371